FCX790ATA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FCX790ATA
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 40V 2A 100MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFCX790 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 10mA, 2V
длина4.5 mm
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage-40 V
maximum dc collector current-2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain250
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер450 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8006154266
pd - рассеивание мощности2000 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFCX790
supplier device packageSOT-89-3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic450mV @ 50mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки0:07:34
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль