FCX718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCX718TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FCX718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Low ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
частота перехода ft180МГц
collector emitter voltage max20В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current2.5А
dc current gain hfe min35hFE
dc усиление тока hfe35hFE
длина4.5 mm
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeFlat
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@200mA@2.5A
maximum collector base voltage-20 V
maximum collector base voltage (v)20
maximum collector emitter voltage-20 V
maximum collector-emitter voltage (v)20
maximum dc collector current-2.5 A
maximum dc collector current (a)02.05.2024
maximum emitter base voltage-5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation2 W
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)180(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер145 mV
непрерывный коллекторный ток2.5 A
number of elements per chip1
package typeSOT-89
packagingTape and Reel
партномер8006267762
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2000 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation2Вт
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияFCX718
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-89
supplier packageSOT-89
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:07:34
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль