FCX717TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Вес и габариты
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Вес и габариты
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 160 at 3
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)12 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер230 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)110 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияFCX717
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вес, г0.052
вид монтажаSMD/SMT
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль