FCX617TA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage15V
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage15V
длина4.5 mm
Высота 1.5 мм
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.200
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 200 at 3
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
maximum dc collector current3A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер150 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияFCX61
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль