FCX605TA, Транзистор: NPN; биполярный

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCX605TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FCX605TA, Транзистор: NPN; биполярный
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 120V 1A 150MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberFCX605 ->
collector-emitter breakdown voltage120V
current - collector cutoff (max)10ВµA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce2000 @ 1A, 5V
eccnEAR99
frequency - transition150MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum base emitter saturation voltage1.8 V
maximum collector base voltage140 V
maximum collector emitter saturation voltage1.5 V
maximum collector emitter voltage120 V
maximum continuous collector current1 A
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage10 V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2.8 W
minimum dc current gain5000
minimum operating temperature-55 °C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
партномер8021948907
pd - power dissipation1W
pin count3
power - max1W
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89-3
transistor configurationSingle
transistor typeNPN - Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 1mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)120V
Время загрузки23:58:41
width2.6mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль