FCX491ATA, Trans GP BJT NPN 40V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FCX491ATA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes FCX491ATA, Trans GP BJT NPN 40V 1A 1000mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
40
+
Бонус: 0.8 !
Бонусная программа
Итого: 40
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.5 mm
Высота 1.5 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
base product numberFCX491 ->
collector-emitter breakdown voltage40V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 500mA, 5V
длина4.5 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
hts8541.29.00.95
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA, 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@100mA@1A
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@50mA@500mA|0.5@100mA@1A
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current1A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
militaryNo
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain300@1mA@5V|300@500mA@5V|200@1A@5V|35@2A@5V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package height1.6(Max)
package length4.6(Max)
package width2.6(Max)
packagingTape and Reel
партномер8001122933
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1W
pd - рассеивание мощности1 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияFCX49
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-89-3
supplier packageSOT-89
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки21:55:43
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль