EMX1T2R, 50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 2 NPN SOT563 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: EMX1T2R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm EMX1T2R, 50V 150mW 120@1mA,6V 150mA 2 NPN ...
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
12
+
Бонус: 0.24 !
Бонусная программа
Итого: 12
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
collector- base voltage vcbo60 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationDual
continuous collector current150 mA
dc collector/base gain hfe min120
dc current gain hfe max560
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity8000
gain bandwidth product ft180 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerROHM Semiconductor
maximum dc collector current0.15 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseEMT-6
packagingCut Tape or Reel
партномер8003517844
part # aliasesEMX1
pd - power dissipation150 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
seriesEMX1
subcategoryTransistors
transistor polarityNPN
Время загрузки16:49:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль