EMX1DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V Dual NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: EMX1DXV6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor EMX1DXV6T1G, Bipolar Transistors - BJT 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100mA 60V Dual NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8005369107
pd - рассеивание мощности357 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки4000
серияEMX1
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:04:35
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль