EMD4DXV6T1G, Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:EMD4DXV6T1G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Dual Complementary NPN & PNP Digital
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Высота
0.55 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
1.6 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
80
количество каналов
2 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
конфигурация
Dual
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
непрерывный коллекторный ток
0.1 A
партномер
8001091632
pd - рассеивание мощности
357 mW
пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN, PNP
размер фабричной упаковки
4000
серия
EMD4DXV6
типичное входное сопротивление
47 kOhms
типичный коэффициент деления резистора
1, 0.21
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SOT-553-5
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
2:04:35
Ширина
1.2 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26