EMD4DXV6T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: EMD4DXV6T1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor EMD4DXV6T1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0028
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Dual Complementary NPN & PNP Digital
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0028
Высота0.55 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
количество каналов2 Channel
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияDual
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8004651430
pd - рассеивание мощности357 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
размер фабричной упаковки4000
серияEMD4DXV6
типичное входное сопротивление47 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1, 0.21
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-553-5
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки2:04:39
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль