Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1W -60V -5A

Подробное описание

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	6.7 mm
Высота	1.65 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	370 mV
непрерывный коллекторный ток	5 A
pd - рассеивание мощности	3 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	120 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	DZT951
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-223-4
вес, г	0.112
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	3.7 мм

Отзывов нет

Кнопки

DZT951-13