Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1W 60V 6A

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Вес и габариты
длина	6.7 mm
Высота	1.65 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	6 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	375 mV
непрерывный коллекторный ток	6 A
pd - рассеивание мощности	3 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	130 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	DZT851
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-223-4
вес, г	0.112
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	3.7 мм

Отзывов нет

Кнопки

DZT851-13