DZT5551Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DZT5551Q-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DZT5551Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г280
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г280
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft130МГц
collector emitter voltage max160В
continuous collector current600мА
dc current gain hfe min30hFE
dc усиление тока hfe30hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииDZT Series
максимальная рабочая температура150°C
монтаж транзистораSurface Mount
партномер8005059798
полярность транзистораNPN
power dissipation2Вт
стиль корпуса транзистораSOT-223
Время загрузки0:07:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль