DZT5551Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:DZT5551Q-13
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Дата загрузки
23.02.2024
Вес и габариты
вес, г
280
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
частота перехода ft
130МГц
collector emitter voltage max
160В
continuous collector current
600мА
dc current gain hfe min
30hFE
dc усиление тока hfe
30hFE
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов
3вывод(-ов)
квалификация
AEC-Q101
линейка продукции
DZT Series
максимальная рабочая температура
150°C
монтаж транзистора
Surface Mount
партномер
8005059798
полярность транзистора
NPN
power dissipation
2Вт
стиль корпуса транзистора
SOT-223
Время загрузки
0:07:46
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26