DZT5551

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DZT5551
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo180 V
collector-emitter saturation voltage200 mV
collector- emitter voltage vceo max160 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min30 at 50 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity2500
gain bandwidth product ft300 MHz
height1.65 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length6.7 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current600 mA
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-223-4
packagingReel
партномер8002006991
pd - power dissipation1000 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesDZT5551
transistor polarityNPN
Время загрузки22:33:33
width3.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль