DZT5551-13
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыкорпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор NPN 160В 0.6A SOT-223Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| base product number | DZT5551 -> |
| collector-emitter breakdown voltage | 160V |
| configuration | Single Dual Collector |
| current - collector cutoff (max) | 50nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 600mA |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 10mA, 5V |
| длина | 6.7 mm |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| frequency - transition | 300MHz |
| Высота | 1.65 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1@1mA@10mA|1.2@5mA@50mA |
| maximum collector base voltage (v) | 180 |
| maximum collector cut-off current (na) | 50 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.2@5mA@50mA|0.15@1mA@10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 160 |
| maximum dc collector current | 600mA |
| maximum dc collector current (a) | 0.6 |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 300 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 80@1mA@5V|30@50mA@5V|80@10mA@5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 180 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 160 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-261-4, TO-261AA |
| package height | 1.6 |
| package length | 6.5 |
| package width | 3.5 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 1W |
| pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 1W |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | DZT5551 |
| standard package name | SOT-223 |
| supplier device package | SOT-223 |
| supplier package | SOT-223 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| вес, г | 0.28 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 160V |
| Ширина | 3.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26