DZT5401-13, Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DZT5401-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DZT5401-13, Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
aec qualified numberAEC-Q101
automotiveYes
частота перехода ft300МГц
collector- base voltage vcbo-160 V
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage-500 mV
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max-150 V
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configurationSingle Dual Collector
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min50 at-1 mA, -5 V
dc collector/base gain hfe min:50 at-1 mA, -5 V
dc усиление тока hfe50hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo-5 V
emitter- base voltage vebo:6 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity2500
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft300 MHz
gain bandwidth product ft:300 MHz
hts8541.21.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукцииDZT Series
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerDiodes Incorporated
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1@5mA@50mA|1@1mA@10mA
maximum collector base voltage (v)160
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@5mA@50mA|0.2@1mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)150
maximum dc collector current-600 mA
maximum dc collector current:600 mA
maximum dc collector current (a)0.6
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1000
maximum transition frequency (mhz)300
militaryNo
minimum dc current gain50@50mA@5V|60@10mA@5V|50@1mA@5V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
number of elements per chip1
package / caseSOT-223-4
package / case:SOT-223-4
package height01.06.2024
package length06.05.2024
package width03.05.2024
packagingTape and Reel
партномер8001121633
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1000 mW
pd - power dissipation:1 W
pin count4
полярность транзистораPNP
power dissipation1Вт
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
product type:BJTs-Bipolar Transistors
seriesDZT5401
series:DZT5401
standard package nameSOT-223
стиль корпуса транзистораSOT-223
subcategoryTransistors
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-223
tabTab
technology:Si
transistor polarityPNP
transistor polarity:PNP
typePNP
Время загрузки22:29:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль