DXTP5860CFDB-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DXTP5860CFDB-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXTP5860CFDB-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г30
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г30
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.180 at - 2 A, - 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)140 at - 2 A, - 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора8 A
минимальная рабочая температура+ 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер155 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
партномер8005059762
pd - рассеивание мощности0.69 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокU-DFN2020-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:29:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль