DXTP560BP5-13, Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DXTP560BP5-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXTP560BP5-13, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft60МГц
collector- base voltage vcbo:500 V
collector-emitter saturation voltage:200 mV
collector emitter voltage max500В
collector- emitter voltage vceo max:500 V
configuration:Single
continuous collector current150мА
continuous collector current:-150 mA
dc current gain hfe min15hFE
dc усиление тока hfe15hFE
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:5000
gain bandwidth product ft:60 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификация-
линейка продукцииDXT Series
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:150 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
package / case:PowerDI-5
партномер8004841635
pd - power dissipation:2.8 W
полярность транзистораPNP
power dissipation2.8Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DXTP560
стиль корпуса транзистораPowerDI5
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:07:46
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль