DXTN10060DFJBWQ-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXTN10060DFJBWQ-7
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft125МГц
dc усиление тока hfe20hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.550 at 10 mA, 2 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 10 mA, 2 V
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 175 C
максимальный постоянный ток коллектора6 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)8 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер240 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
партномер8008825671
pd - рассеивание мощности1.8 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation1.8Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки3000
стиль корпуса транзистораWDFN2020
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокW-DFN2020-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:29:02
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль