DXTA42-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DXTA42-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXTA42-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:300 V
collector-emitter breakdown voltage300V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:300 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:25 at 1 mA, 10 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:50 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current500mA
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8005059741
pd - power dissipation1W
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DXTA42
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
Время загрузки22:29:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль