DXT751Q-13, 100nA 60V 1W 100@500mA,2V 3A 100MHz 600mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DXT751Q-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXT751Q-13, 100nA 60V 1W 100@500mA,2V 3A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.2 V
непрерывный коллекторный ток3 A
партномер8020312096
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)145 MHz
размер фабричной упаковки2500
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:29:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль