DXT651-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 60V 3A 200MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
Вес и габариты
base product numberDXT651 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 60V 3A 200MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
Вес и габариты
base product numberDXT651 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 500mA, 2V
длина4.5 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity2500
frequency - transition200MHz
gain bandwidth product ft200 MHz
Высота 1.5 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation1000 mW
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)200 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesDXT651
серияDXT651
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-89-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 300mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль