DXT5551-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Биполярные транзисторы - BJT 1W 160V
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDXT5551 ->
collector-emitter breakdown voltage160V
41
+
Бонус: 0.82 !
Бонусная программа
Итого: 41
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 1W 160V
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberDXT5551 ->
collector-emitter breakdown voltage160V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 10mA, 5V
длина4.6 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition300MHz
Высота 1.6 мм
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)30 at 50 mA, 5 V
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора600 mA
maximum base emitter saturation voltage (v)1 1mA 10mA|1 5mA 50mA
maximum collector base voltage (v)180
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)160
maximum dc collector current600mA
maximum dc collector current (a)0.6
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1200
maximum transition frequency (mhz)300
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.160 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1W
pd - рассеивание мощности1000 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки2500
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияDXT5551
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-89-3
supplier packageSOT-89
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic200mV @ 5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)160V
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль