DXT5551-13, 160V 1W 80@10mA,5V 600mA NPN SOT893 Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DXT5551-13
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1W 160V
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.052 |
| Высота | 1.6 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector-emitter breakdown voltage | 160V |
| configuration | Single Dual Collector |
| длина | 4.6 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Flat |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1 1mA 10mA|1 5mA 50mA |
| maximum collector base voltage | 180 V |
| maximum collector base voltage (v) | 180 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.15 1mA 10mA|0.2 5mA 50mA |
| maximum collector emitter voltage | 160 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 160 |
| maximum dc collector current | 600mA |
| maximum dc collector current (a) | 0.6 |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating frequency | 300 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 1.2 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1200 |
| maximum transition frequency (mhz) | 300 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 80 1mA 5V|80 10mA 5V|30 50mA 5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 180 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 160 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | SOT-89 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8003556856 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 1W |
| pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| серия | DXT5551 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Время загрузки | 21:55:30 |
| Ширина | 2.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
