Name: DXT3906-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo
Brand: DIODES INC.
SKU: DXT3906-13

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DXT3906-13, Bipolar Transistors - BJT 1000mW ...

Подробное описание

130 ₽

– +

Бонус: 2.6 !

Бонусная программа

Итого: 130 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.05
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	40 V
collector-emitter saturation voltage:	400 mV
collector- emitter voltage vceo max:	40 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	30 at-100 mA, -1 V
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	2500
gain bandwidth product ft:	250 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	200 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-89-3
партномер	8005059735
pd - power dissipation:	1 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	DXT3906
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	22:28:39

Отзывов нет

Кнопки

Теги: