Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1000mW -60Vceo

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	60V
длина	4.5 mm
Высота	1.5 мм

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 1000mW -60Vceo

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	60V
длина	4.5 mm
Высота	1.5 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50 at - 500 mA, - 10 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
maximum dc collector current	600mA
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
pd - power dissipation	1W
pd - рассеивание мощности	1000 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	200 MHz
размер фабричной упаковки	2500
серия	DXT2907
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	PNP
упаковка / блок	SOT-89-3
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.48 мм

Отзывов нет

Кнопки

DXT2907A-13