DXT13003EK-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.30
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)5 at 1 A, 2 V
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV
Вес и габариты
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.30
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)5 at 1 A, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)9 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.460 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер400 mV
непрерывный коллекторный ток1.5 A
pd - рассеивание мощности3.9 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)4 MHz
размер фабричной упаковки2500
серияDXT13003
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокTO-252-3
вес, г1.8
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль