DTDG14GPT100, 300@500mA,2V 1 NPN Pre Biased 2W 1A 60V 500nA TO243AA Digital Transistors ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTDG14GPT100
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Electromechanical\HardwareБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DIGITAL NPN 60V 1A
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.1305 |
| Высота | 1.5 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| base product number | DTDG14 -> |
| current - collector cutoff (max) | 500nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 300 @ 500mA, 2V |
| длина | 4.5 mm |
| другие названия товара № | DTDG14GP |
| eccn | EAR99 |
| frequency - transition | 80MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 300 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| other related documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-243AA |
| партномер | 8007960844 |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| пиковый постоянный ток коллектора | 1000 mA |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 2W |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Affected |
| resistor - emitter base (r2) | 10 kOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | DTDG14GP |
| simulation models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| supplier device package | MPT3 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor type | NPN - Pre-Biased |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 400mV @ 5mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 60V |
| Время загрузки | 16:48:34 |
| Ширина | 2.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
