DTD123ECT116

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm DTD123ECT116
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-BiasedБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В, 500 мА, 200 МГц, 200 мВт, поверхностный монтаж, SST3
Дата загрузки19.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberDTD123 ->
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)500mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce39 @ 50mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition200MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8006831410
power - max200mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)2.2 kOhms
resistor - emitter base (r2)2.2 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSST3
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 2.5mA, 50mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки1:42:16
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль