DTC143TU3HZGT106, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Single NPN, 50 В, 100 мА, 4.7 кОм

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTC143TU3HZGT106
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm DTC143TU3HZGT106, Биполярный цифровой/смещение ...
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные ТранзисторыБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product numberDTC143 ->
continuous collector current100мА
current - collector cutoff (max)500nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain hfe min100hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
канальный режимEnhancement
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
количество выводов3 Вывода
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
корпус рч транзистораSOT-323
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииDTC143T Series
максимальная рабочая температура150°C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер50В
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
непрерывный коллекторный ток ic100мА
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
партномер8001748154
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораSingle NPN
полярность цифрового транзистораОдиночный NPN
power dissipation200мВт
power - max200mW
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)4.7 kOhms
резистор на входе базы r14.7кОм
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-323
supplier device packageUMT3
типичное входное сопротивление4.7 kOhms
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor typeNPN - Pre-Biased
упаковка / блокSOT-323-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 250ВµA, 5mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки16:46:45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль