DTC123JM3T5G, 1 NPN - Pre Biased 260mW 100mA 50V SOT-723 Digital Transistors ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:DTC123JM3T5G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Дата загрузки
21.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.02
Высота
0.5 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
1.2 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
непрерывный коллекторный ток
0.1 A
партномер
8017611605
pd - рассеивание мощности
260 mW
пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
размер фабричной упаковки
8000
серия
DTC123JM3
типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора
0.047
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SOT-723-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
0:55:31
Ширина
0.8 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26