DTC123JM3T5G, 1 NPN - Pre Biased 260mW 100mA 50V SOT-723 Digital Transistors ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTC123JM3T5G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor DTC123JM3T5G, 1 NPN - Pre Biased 260mW 100mA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина1.2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8017611605
pd - рассеивание мощности260 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки8000
серияDTC123JM3
типичное входное сопротивление2.2 kOhms
типичный коэффициент деления резистора0.047
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-723-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:55:31
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль