DTC115EM3T5G

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor DTC115EM3T5G
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 50V, SOT-723; Digital Transistor Polarity:Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:100kohm; Base-Emitter Resistor R2:100kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-723; No. of Pins:3 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0013
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
base part numberDTC115
current - collector cutoff (max)500nA
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce80 @ 5mA, 10V
длина1.2 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80, 150
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerON Semiconductor
минимальная рабочая температура55 C
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
package / caseSOT-723
packagingCut Tape(CT)
партномер8007088455
part statusActive
pd - рассеивание мощности260 mW
пиковый постоянный ток коллектора100 mA
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max260mW
размер фабричной упаковки8000
resistor - base (r1)100 kOhms
resistor - emitter base (r2)100 kOhms
series-
серияDTC115EM3
supplier device packageSOT-723
типичное входное сопротивление100 kOhms
типичный коэффициент деления резистора1
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая маркаON Semiconductor
transistor typeNPN-Pre-Biased
упаковка / блокSOT-723-3
vce saturation (max) @ ib, ic250mV @ 300ВµA, 10mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки2:01:22
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль