Name: DTC115EM3T5G, Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Brand: ON Semiconductor***
SKU: DTC115EM3T5G

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor DTC115EM3T5G, Bipolar Transistors - ...

Подробное описание

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0013
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

88 ₽

– +

Бонус: 1.76 !

Бонусная программа

Итого: 88 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Дата загрузки	20.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.0013
Высота	0.5 mm
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
base part number	DTC115
current - collector cutoff (max)	500nA
current - collector (ic) (max)	100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	80 @ 5mA, 10V
длина	1.2 mm
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	80
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80, 150
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
manufacturer	ON Semiconductor
минимальная рабочая температура	55 C
mounting type	Surface Mount
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V
непрерывный коллекторный ток	0.1 A
package / case	SOT-723
packaging	Cut Tape(CT)
партномер	8004651416
part status	Active
pd - рассеивание мощности	260 mW
пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power - max	260mW
размер фабричной упаковки	8000
resistor - base (r1)	100 kOhms
resistor - emitter base (r2)	100 kOhms
series	-
серия	DTC115EM3
supplier device package	SOT-723
типичное входное сопротивление	100 kOhms
типичный коэффициент деления резистора	1
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
торговая марка	ON Semiconductor
transistor type	NPN-Pre-Biased
упаковка / блок	SOT-723-3
vce saturation (max) @ ib, ic	250mV @ 300ВµA, 10mA
вид монтажа	SMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)	50V
Время загрузки	1:35:58
Ширина	0.8 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)DTC115EM3T5G DTC115EM3