DTC114TET1G, Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTC114TET1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещенияБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR NPN 50V
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.006 |
| Высота | 0.75 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 100мА |
| dc current gain hfe min | 160hFE |
| длина | 1.6 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| hts | 8541.21.00.95 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| количество выводов | 3 Вывода |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
| конфигурация | Single |
| корпус рч транзистора | SC-75 |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@1mA@10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum continuous dc collector current (ma) | 100 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 300 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 160@5mA@10V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение коллектор-эмиттер | 50В |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| непрерывный коллекторный ток ic | 100мА |
| package height | 0.75 |
| package length | 01.06.2024 |
| package width | 0.8 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8006254117 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| полярность цифрового транзистора | Одиночный NPN |
| power dissipation | 300мВт |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| резистор на входе базы r1 | 10кОм |
| серия | DTC114TE |
| standard package name | SOT |
| стиль корпуса транзистора | SC-75 |
| supplier package | SOT-416 |
| типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| type | NPN |
| typical input resistor (kohm) | 10 |
| упаковка / блок | SOT-416-3 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:34:17 |
| Ширина | 0.8 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
