DTC114EU3T106, DTC114EU3T106 NPN Digital Transistor, 100 mA, 3-Pin SOT-323
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DTC114EU3T106
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsDTC114EU3 is a digital transistor suitable for inverter, interface and driver applications. Standard digital transistor
Дата загрузки | 18.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1 |
Информация о производителе | |
Производитель | Rohm |
Бренд | Rohm |
Основные | |
base-emitter resistor | 10kΩ |
channel mode: | Enhancement |
collector- emitter voltage vceo max: | 50 V |
configuration: | Single |
continuous collector current | 100мА |
continuous collector current: | 100 mA |
current - collector cutoff (max) | - |
current - collector (ic) (max) | 100mA |
dc collector/base gain hfe min: | 30 |
dc current gain hfe min | 30hFE |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 30 @ 5mA, 5V |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 3000 |
frequency - transition | 250MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
количество выводов | 3 Вывода |
корпус рч транзистора | SOT-323 |
линейка продукции | DTC114E Series |
максимальная рабочая температура | 150°C |
manufacturer | Rohm Semiconductor |
manufacturer: | ROHM Semiconductor |
maximum dc collector current | 100 mA |
maximum dc collector current: | 100 mA |
maximum operating temperature | +150 °C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum power dissipation | 200 mW |
minimum dc current gain | 30 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting style: | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение коллектор-эмиттер | 50В |
непрерывный коллекторный ток ic | 100мА |
number of elements per chip | 1 |
output voltage: | 100 mV |
package / case | SC-70, SOT-323 |
package / case: | SOT-323-3 |
package type | SOT-323 |
packaging | Cut Tape(CT) |
партномер | 8015369048 |
part # aliases: | DTC114EU3 |
part status | Active |
pd - power dissipation: | 200 mW |
peak dc collector current: | 100 mA |
pin count | 3 |
полярность транзистора | Single NPN |
полярность цифрового транзистора | Одиночный NPN |
power dissipation | 200мВт |
power - max | 200mW |
product category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
resistor - base (r1) | 10 kOhms |
resistor - emitter base (r2) | 10 kOhms |
резистор база-эмиттер r2 | 10кОм |
резистор на входе базы r1 | 10кОм |
series | - |
соотношение сопротивления, r1 / r2 | 1соотношение |
стиль корпуса транзистора | SOT-323 |
subcategory: | Transistors |
supplier device package | UMT3 |
transistor configuration | Single |
transistor polarity: | NPN |
transistor type | NPN |
typical input resistor | 10 kΩ |
typical input resistor: | 10 kOhms |
typical resistor ratio | 1 |
typical resistor ratio: | 1 |
уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
vce saturation (max) @ ib, ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Время загрузки | 16:52:53 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26