Name: DST857BDJ-7, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Brand: DIODES INC.
SKU: DST857BDJ-7

DST857BDJ-7, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DST857BDJ-7, Bipolar Transistors - BJT ...

Подробное описание

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	28.35
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTDST Series Bipolar TransistorsDiodes Incorporated DST Series Bipolar Transistors are surface mounted devices ideally suited for automated assembly processes. The DST Series includes NPN, PNP, and NPN/PNP polarity devices. DST Series Bipolar Transistors are offered in an ultra small, lead-free, RoHS compliant SOT-963 package.

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	28.35
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
automotive	No
collector- base voltage vcbo:	50 V
collector-emitter saturation voltage:	500 mV
collector- emitter voltage vceo max:	45 V
configuration	Dual
configuration:	Dual
continuous collector current:	-100 mA
dc collector/base gain hfe min:	200 at-2 mA, -5 V
dc current gain hfe max:	470
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo:	6 V
eu rohs	Compliant
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
gain bandwidth product ft:	340 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Flat
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)	1@0.5mA@10mA\|1.1@5mA@100mA
maximum collector base voltage (v)	50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.175@0.5mA@10mA\|0.5@5mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)	45
maximum dc collector current:	100 mA
maximum dc collector current (a)	0.1
maximum emitter base voltage (v)	5
maximum operating temperature:	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	300
maximum transition frequency (mhz)	340(Typ)
minimum dc current gain	100@10uA@5V\|200@2mA@5V
minimum operating temperature:	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
mounting style:	SMD/SMT
number of elements per chip	2
package / case:	SOT-963-6
packaging	Tape and Reel
партномер	8005059714
part status	Active
pcb changed	6
pd - power dissipation:	300 mW
pin count	6
ppap	No
product category	Bipolar Small Signal
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	DST857
standard package name	SOT
subcategory:	Transistors
supplier package	SOT-963
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
type	PNP
Время загрузки	22:28:50

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

DIODES INC.Транзисторы биполярные (BJTs)DST857BDJ-7