Name: DSS8110Y-7, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
Brand: DIODES INC.
SKU: DSS8110Y-7

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS8110Y-7, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR ...

Подробное описание

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	120 V
collector-emitter saturation voltage:	200 mV
collector- emitter voltage vceo max:	100 V
configuration:	Single
continuous collector current:	1 A
dc collector/base gain hfe min:	80
dc current gain hfe max:	500
emitter- base voltage vebo:	5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	100 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	1 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-363-6
партномер	8005059711
pd - power dissipation:	625 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	DSS8110
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	22:28:54

Отзывов нет

Кнопки

Теги: