DSS60600MZ4Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS60600MZ4Q-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS60600MZ4Q-13, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:360 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
continuous collector current:6 A
dc collector/base gain hfe min:120
dc current gain hfe max:360
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:6 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT223-3
партномер8021801680
pd - power dissipation:2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:10:23
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль