DSS5240V-7, 100nA 40V 600mW 300@100mA,5V 1.8A 150MHz 530mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS5240V-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS5240V-7, 100nA 40V 600mW 300@100mA,5V 1.8A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.02
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:530 mV
collector- emitter voltage vceo max:40 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:50 at 2 A, 5 V
dc current gain hfe max:300 at 1 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1.8 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-563-6
партномер8017625842
pd - power dissipation:600 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DSS52
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:28:13
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль