DSS5220V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS5220V-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS5220V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.003
Высота0.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина1.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.220 at 1 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)220
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер80 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8004701749
pd - рассеивание мощности600 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияDSS52
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-563-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:28:20
Ширина1.2 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль