DSS5220T-13, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS5220T-13
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS5220T-13, Bipolar Transistors - BJT 20V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:20 V
collector-emitter saturation voltage:225 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
continuous collector current:-2 A
dc collector/base gain hfe min:150
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:2 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8005059702
pd - power dissipation:600 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DSS5220
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:28:20
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль