DSS5160U-7, 100nA 60V 400mW 100@1A,5V 1A 150MHz 340mV@1A,100mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS5160U-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS5160U-7, 100nA 60V 400mW 100@1A,5V 1A ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:340 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-323-3
партномер8017601916
pd - power dissipation:400 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DSS51
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки21:54:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль