DSS45160FDB-7, 60V 405mW 1A NPN+PNP UDFN6 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS45160FDB-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS45160FDB-7, 60V 405mW 1A NPN+PNP UDFN6 ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
72
+
Бонус: 1.44 !
Бонусная программа
Итого: 72
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)170 at - 2 V at - 100 ma at - 2 V, 290 at 100 mA a
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A, 1.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V, 7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V, 60 V
непрерывный коллекторный ток1 A, 1 A
партномер8022394534
pd - рассеивание мощности405 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN, PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)175 MHz
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокU-DFN2020-6
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:27:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль