DSS4160T-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
Вес и габариты
automotiveNo
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage280 mV
41
+
Бонус: 0.82 !
Бонусная программа
Итого: 41
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K
Вес и габариты
automotiveNo
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage280 mV
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft150 MHz
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1 50mA 1A
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.15 50mA 500mA|0.28 100mA 1A|0.115 1mA 100mA
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current2 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)725
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
minimum dc current gain250 1mA 5V|100 1A 5V|200 500mA 5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер280 mV
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
seriesDSS41
серияDSS41
standard package nameSOT-23
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вес, г0.008
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль