DSS4160T-7, Trans GP BJT NPN 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS4160T-7
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 60V 1A 725mW 3-Pin SOT-23 T/R
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | DIODES INC. |
| Бренд | DIODES INC. |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 280 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 150 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.1 50mA 1A |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.15 50mA 500mA|0.28 100mA 1A|0.115 1mA 100mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current | 2 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 725 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Min) |
| minimum dc current gain | 250 1mA 5V|100 1A 5V|200 500mA 5V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 280 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23-3 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8001050329 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| series | DSS41 |
| серия | DSS41 |
| standard package name | SOT-23 |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 22:28:04 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
