Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	90 at - 500 mA, - 2 V
конфигурация	Single

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	90 at - 500 mA, - 2 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
непрерывный коллекторный ток	500 mA
pd - рассеивание мощности	250 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	340 MHz
размер фабричной упаковки	10000
серия	DSS35
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	DFN1006-3
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

DSS3515M-7B