Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Вес и габариты
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
90 at - 500 mA, - 2 V
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
1 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
15 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
15 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
250 mV
непрерывный коллекторный ток
500 mA
pd - рассеивание мощности
250 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
340 MHz
размер фабричной упаковки
10000
серия
DSS35
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
DFN1006-3
вид монтажа
SMD/SMT
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26