DSS30101L-7, Trans GP BJT NPN 30V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS30101L-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS30101L-7, Trans GP BJT NPN 30V 1A 600mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
25
+
Бонус: 0.5 !
Бонусная программа
Итого: 25
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 30V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 1 A, 5 V
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@100mA@1A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.075@1mA@0.1A|0.125@50mA@0.5A|0.2@100mA@1A
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)600
maximum transition frequency (mhz)250(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300@50mA@5V|300@0.5A@5V|200@1A@5V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8001011245
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности600 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияDSS30
standard package nameSOT
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:02:27
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль