Name: DSS2540M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Brand: DIODES INC.
SKU: DSS2540M-7B

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS2540M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low ...

Подробное описание

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Trans GP BJT NPN 40 В 0,5 А 250 мВт 3-контактный DFN T / R

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
configuration	Single
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	No Lead
maximum base emitter saturation voltage (v)	1.2 50mA 500mA
maximum collector base voltage (v)	40
maximum collector-emitter voltage (v)	40
maximum dc collector current (a)	0.5
maximum emitter base voltage (v)	6
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	1000
maximum transition frequency (mhz)	300(Typ)
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Surface Mount
number of elements per chip	1
packaging	Tape and Reel
партномер	8006415459
part status	Active
pcb changed	3
pin count	3
product category	Bipolar Small Signal
standard package name	DFN
supplier package	DFN
type	NPN
Время загрузки	22:28:23

Отзывов нет

Кнопки

Теги: