DSS2515M-7B, Package/Enclosure X1DFN10063

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DSS2515M-7B
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes DSS2515M-7B, Package/Enclosure X1DFN10063
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
31
+
Бонус: 0.62 !
Бонусная программа
Итого: 31
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:15 V
collector-emitter saturation voltage:250 mV
collector- emitter voltage vceo max:15 V
configuration:Single
continuous collector current:500 mA
dc collector/base gain hfe min:90 at 500 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:10000
gain bandwidth product ft:250 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:500 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN1006-3
партномер8011660546
pd - power dissipation:400 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:DSS25
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:02:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль